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快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响

魏榕山丁晓琴何明华

材料研究学报

使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点, 用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性, 研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结果表明: 随着退火温度的升高, 量子点中Ge的组分下降, 量子点应变的弛豫程度加剧。在1000℃退火20 s后, 量子点材料已经完全弛豫。

关键词: 无机非金属材料 , rapid thermal annealing(RTA) , Ge quantum dots , DCXRD , Raman spectrum , null

C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响

刘鹏强 , 王茺 , 周曦 , 杨杰 , 杨宇

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.05.012

采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用 AFM和 Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge 量子点的密度逐渐降低,且结晶性变差;此时,量子点中的 Si 组分升高。当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中,Ge量子点的密度逐渐增大,结晶性也有所改善;此时,量子点中的Si含量降低。

关键词: 离子束溅射 , Ge量子点 , 扩散 , C诱导

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